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高壓放大器在壓電薄膜變形鏡加工及閉環(huán)實驗中的應用

作者:Aigtek 閱讀數:0 發(fā)布時間:2024-07-11 16:10:57

  實驗名稱:壓電薄膜變形鏡加工及閉環(huán)實驗

  測試設備:高壓放大器、波前傳感器、壓電薄膜變形鏡等。

  實驗過程:

(a)加工變形鏡的示意圖(b)變形鏡實物圖

  圖1:(a)加工變形鏡的示意圖(b)變形鏡實物圖

  根據優(yōu)化設計加工了尺寸為100*100mm的壓電薄膜變形鏡,如圖1所示,襯底層厚度為5mm,壓電層厚度為0.4mm,電極分布為8*8,單個電極尺寸9*9mm。

  由于基底與陶瓷片粘結、電極分割等工藝過程會引入頻率較高、梯度較大的面形變化,需要將粘結和電極分割過程提前到冷加工之前。此外,為了保證面形的穩(wěn)定性,在冷加工前需要加入退應力的工藝環(huán)節(jié),加工出來的PFDM樣件如圖1(b)所示。

(a)100*100mm單元PFDM樣件實物照片(b)100V驅動電壓下測量得到64個驅動單元的響應函數

  圖2:(a)100*100mm單元PFDM樣件實物照片(b)100V驅動電壓下測量得到64個驅動單元的響應函數

  搭建實如圖2(a)所示的實驗平臺,依次對64個驅動單元施加100V電壓,獲得個64驅動單元的響應函數,如圖(b)所示,響應函數的一致性較好。配套相應的高壓放大器、波前傳感器及閉環(huán)控制軟件開展了聯(lián)機波前閉環(huán)校正實驗。閉環(huán)校正前的波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ,閉環(huán)校正后的波前畸變P_V值為0.36λ,RMS為0.1λ,閉環(huán)效果較好,如圖3(a)和(b)所示。

(a)閉環(huán)校正前波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ。(b)閉環(huán)校正后波前畸變P_V值為0.36λ,RMS為0.1λ

  圖3:(a)閉環(huán)校正前波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ。(b)閉環(huán)校正后波前畸變P_V值為0.36λ,RMS為0.1λ

  實驗結果:

  對壓電薄膜變形鏡樣件進行了實驗研究,閉環(huán)效果較好,對響函做本征模式分析,認為變形鏡在材料選擇、加工工藝及裝夾方式等方面還存在一定的改進余地。

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